三星、SK海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片
三星、SK海力士升级中国工厂，生产更先进闪存芯片
四名知情人士称，韩国三星电子和SK海力士正在升级其中国工厂，以生产更先进的闪存芯片，抵御快速成长的中国对手的竞争，并满足巨大的AI需求。三星电子和SK海力士在发给路透社的声明中证实，升级工作正在进行，并且是在与华盛顿密切协商的情况下进行的，但未披露生产计划细节。
据悉，三星正将位于中国西安的工厂改造为生产286层的V9 NAND闪存芯片，目标是在今年12月实现月产5000片晶圆，并在2027年12月将月产量大幅提高至 4万片晶圆。SK海力士正计划将位于大连的工厂转向生产层数达到 240层或以上的NAND闪存产品，该工厂目前生产的是192层产品。
—— 凤凰网科技、路透社