三星电子前职员向中方泄露芯片技术被判七年
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涉嫌向中企泄露半导体技术的一名前三星电子研究人员22日被判有期徒刑七年。首尔中央地方法院刑事审判第28合议庭当天对三星电子半导体技术遭泄案作出一审判决，判处嫌疑人全某有期徒刑七年。全某曾与三星电子前经理金某一起离职并跳槽至中国半导体企业长鑫存储。全某涉嫌在此过程中将三星电子 DRAM 工艺技术泄露给中方，于去年五月份被逮捕起诉。涉案技术为三星电子投入 1.6 万亿韩元资金全球率先研发出的 10纳米级 DRAM 最新工艺。经查发现，全某以提供涉案技术相关信息为代价，近六年从长鑫存储方面共获利29亿韩元，包括合同奖励三亿韩元、价值三亿韩元的认股权等。
—— 韩联社
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