铠侠集团计划在日本北部建设一座新的芯片制造工厂。周四下午，铠侠在官网宣布，公司将在北上工厂的厂区内建设公司的第三座工厂“Fab3”，Fab3将建于Fab2南侧，预计将于2029财年投入运营。铠侠表示，Fab3将量产公司的先进3D闪存“BiCS FLASH”。

与此同时，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资四十亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。预计印第安纳州将成为美国HBM的核心生产基地。CEO表示，未看到任何显著的内存市场下行信号，预计内存短缺状况将持续至2030年底。他表示，海力士正考虑与铠侠建立更紧密的联系。

—— 财联社、财联社、彭博社