SK海力士在国际电子器件会议上介绍了其在NAND-Flash领域的最新研究成果，包括最新的5-Bit NAND闪存和旨在实现高能效的3D FeNAND技术。

该技术通过优化存储单元特性、非单元电路以及计算方案，实现了能效和吞吐率的显著提升。与此前的3D FeNAND阵列相比，优化后的方案实现了20.4倍的吞吐量提升与7.17倍的能效提升。此项研究为应对AI计算能效瓶颈提供了具有显著潜力的技术路径，有望推动下一代高能效AI硬件的发展。

—— IT之家